2018年02月21日

韓国で、GaNを用いた半導体材料を初めて開発。

未来

アジア経済ニュースNNA ASIAは2018年02月23日に、韓国の半導体材料メーカー「IVワークス(IV Works)」が2018年02月21日に、パワー半導体向けのトランジスタ材料であるGaN Wafer(窒化ガリウムウエハー)の国産化に初めて成功したと発表したと報告した。

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「IVワークス」はシリコン基板上にGaN結晶が成長した直径8インチのEW(Epitaxial Wafer/エピタキシャルウエハー/エピウエハー)と、SiC(炭化ケイ素)基板上にGaN結晶が成長した直径4インチのエピウエハーを開発した。

これを用いた次世代パワー半導体は、高効率の電力変換分野や無人自動車のセンサー、防衛産業用レーダー、次世代通信規格「5G」分野に用いられる。

「IVワークス」は国内および海外の企業と提携し、5Gと防衛産業分野に進出することを計画している。

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